Tipo de Encapsulado: TO-220.
Transistor equivalente a NTE2396A.
Transistor Mosfet Canal N.
Voltaje Drain – Source (VDSS): 100V.
Voltaje Drain – Gate (VDGR): 100V.
Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V.
Corriente Drain (ID): 28A.
Corriente Pulsada en Drain (IDM): 110A.
Resistencia de Conducción (RDS): 0.077 Ω.
Potencia Máxima Disipada (PD): 120W.
Otros Com. Transistores IRF540 TECHMAN IRF540
$ 3.300
esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.
