Características:
• Categoría del transistor: MOSFET.
• Estilo de montaje : Through Hole.
• Empaquetado: TO-220-3.
• Polaridad del transistor: N-Channel.
• Número de canales: 1 Canal.
• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55V.
• Corriente de drenaje continua: 110 A.
• Resistencias entre drenaje y fuente : 8m Ohms.
• Tensión entre compuerta y fuente: -20V, +20V.
• Temperatura de trabajo : -55C – +175C.
• Disipación de potencia: 200 W.
• Tiempo de caída: 65ns.
• Tiempo de subida: 101ns.
• Peso de la unidad : 2g.
Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.
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