Características:
• Categoría : Transistor Bipolar BJT.
• Empaquetado: Through Hole TO-3P-3.
• Polaridad del transistor: PNP.
• Configuración: Simple.
• Máx voltaje VCEO colector-emisor: -230V.
• Tensión VCBO colector- base: -230V.
• Voltaje VEBO emisor-base: -5V.
• Voltaje de saturación colector-emisor: -1.5V.
• Corriente CC máxima de colector : -15 A.
• Dp- Distancia de potencia : 150W.
• Producto para ganar Ancho de banda fT : 30MhZ.
• Temperatura de funcionamiento: – a 150 C.
• Colector DC/ganancia Base hfe Mínima: 55.
• Máx. ganancia de CC hfE: 160.
• Dimensiones: 26mm x 20.5mm x 5.2mm.
• Peso: 6,756 g.
Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.
Otros Com. Transistores 2SA1943 TECHMAN 2SA1943
$ 11.500
Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
